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三星10nm技术领先台积电7nm能反超吗?

时间:2024-03-13 03:36作者:4166am金沙app

本文摘要:14/16nmFinFET工艺之争以三星领先完结,10nm工艺台积电与三星争斗如今显然还是三星领先,笔者预计在7nm工艺上三星也有可能再度领先!在半导体代工市场上,台积电仍然都以领先的工艺闻名,三星为了领先于台积电自由选择必要跳过20nm工艺而必要研发14nmFinFET工艺,台积电虽然首先研发出有16nm工艺不过由于能效不欠佳甚至不如20nm工艺不得已展开改良引进FinFET工艺,早已三星顺利构建了领先。

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14/16nmFinFET工艺之争以三星领先完结,10nm工艺台积电与三星争斗如今显然还是三星领先,笔者预计在7nm工艺上三星也有可能再度领先!在半导体代工市场上,台积电仍然都以领先的工艺闻名,三星为了领先于台积电自由选择必要跳过20nm工艺而必要研发14nmFinFET工艺,台积电虽然首先研发出有16nm工艺不过由于能效不欠佳甚至不如20nm工艺不得已展开改良引进FinFET工艺,早已三星顺利构建了领先。2015年三星顺利在年初量产14nmFinFET工艺,而台积电的16nmFinFET工艺则延后到同年三季度量产。在台积电顺利量产16nmFinFET工艺后却优先照顾苹果用作生产A9处理器,而协助它研发16nmFinFET工艺的华为海思则没有取得礼遇造成使用该工艺的麒麟950芯片延后到11月初公布。

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于是双方将目光探讨于10nm和7nm工艺上,期望谋求再行量产。在过去一年时间,台媒屡次公布消息指台积电的10nm工艺进展较慢,不过最后在去年10月份三星宣告自家的10nm工艺月量产并使用该工艺生产出有高通的骁龙835芯片,再度领先于台积电。在MWC2017上联发科大事宣传其使用台积电的10nm工艺生产的helioX30芯片,不过嗣后不得而知哪个手机企业不会使用该款芯片,而早前爆出消息所指曾计划使用该款芯片的小米已退出引进。使用三星10nm工艺生产的骁龙835则被中兴和索尼使用并在MWC2017上展出,预计4月份三星使用该款芯片的高端手机galaxyS8将不会大规模上市,从事实上来说这次三星和高通沦为10nm工艺的赢家!当前三星和台积电于是以大力推展它们的7nm工艺量产,各方的消息指它们有可能本年底或明年初量产7nm工艺。

在最关键的EUV(近于紫外光微影)设备方面,三星早在2016年就已花费1.78亿美元从ASML订购EUV设备,而台积电则预计从今年1月装设EUV设备,从这个方面来说前者已抢先一步。


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